报告人：裴轶 博士（苏州能讯高能半导体有限公司）

报告题目：应用于微波能领域的氮化镓射频器件

报告时间：2023年12月22日（星期五）18:30

报告地点：独墅湖校区606楼6112

报告摘要：

过去十余年来，微波能（RF Energy）技术创新为烹饪、CVD、医疗、高能物理、半导体、照明、汽车点火等众多应用带来巨大变革。目前在微波能应用领域占主导地位的是磁控管方案，但近年来GaN器件以小型化、高稳定性与高可靠性等特点为整机系统带来新的优势，成为愈加可靠的新选择。能讯半导体致力于为行业客户提供在技术和成本上更具竞争力的GaN解决方案，全力与合作伙伴共同打造基于GaN技术的Solid-State RF Energy生态环境。

本报告主要介绍GaN器件与磁控管间的差异化优势及其解决方案。磁控管一般寿命约1万小时，采用可靠性加固的GaN工艺，可以实现GaN功放管平均寿命超100万小时，同时具有极低的PPM失效率。此外，GaN功放管还具有功率幅度、相位可调，反射功率可检测，频率精准可控，体积小，抗震性好以及低压安全供电等一系列优势。

个人简介：

裴轶，苏州能讯高能半导体有限公司技术副总裁，正高级工程师。2004年北京大学本科毕业，2009年获加州大学圣巴巴拉分校博士学位。国家重大人才工程-科技创新领军人才，江苏五四青年奖章，IEEE高级会员，中国电子学会高级会员，中国电子学会青年科学家俱乐部会员，中国电源学会元器件专业委员会委员，国家第三代半导体技术创新中心第一届技术专家委员会委员，第三代半导体联盟标准委员会委员，苏州大学产业教授，北京大学校外导师。研究兴趣包含氮化镓微波和毫米波器件、氮化镓功率器件及应用、氮化镓材料、工艺、可靠性和非线性模型等。承担和参与多项科技部、工信部、发改委重要核心技术攻关项目，发表和共同发表了100余篇期刊和会议论文，累计申请专利150余项。

联系人：文震 教授