报告人：裴轶 博士（苏州能讯高能半导体有限公司）

报告题目：氮化镓推动5G&射频能源及其他领域的创新

报告时间：2023年4月10日（星期一）10:00

报告地点：独墅湖校区606楼6205

报告摘要：

氮化镓凭借着优异的材料特性，在器件特性上如发射功率、效率、带宽、工作温度等具有明显优势，可以有效降低器件尺寸和提升能源效率，正逐渐取代砷化镓pHEMT和硅的LDMOS在基站、射频能源等市场，在Ka-band及以下逐渐成为射频半导体功放的首选。能讯半导体做为先进氮化镓射频半导体制造中心，基于其高可靠性的功放管工艺和高性能的器件特性，以及对氮化镓生产制造和良率稳定控制，为国内众多氮化镓设计公司提供一个可信任的制造基地，完成国内自主可控的氮化镓射频微波芯片的供应链，芯片性能和可靠性与世界水平齐平，进而超越。

个人简介：

裴轶，苏州能讯高能半导体有限公司技术副总裁，正高级工程师。2004年北京大学本科毕业，2009年获加州大学圣巴巴拉分校博士学位。国家重大人才工程-科技创新领军人才，IEEE高级会员，中国电子学会高级会员，中国电子学会青年科学家俱乐部会员，中国电源学会元器件专业委员会委员，国家第三代半导体技术创新中心第一届技术专家委员会委员，第三代半导体联盟标准委员会委员，苏州大学产业教授。研究兴趣包含氮化镓微波和毫米波器件、氮化镓功率器件及应用、氮化镓材料、工艺、可靠性和非线性模型等。承担和参与多项科技部、工信部、发改委重要核心技术攻关项目，发表和共同发表了100余篇期刊和会议论文，累计申请专利150余项。

联系人：文震 研究员